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J-GLOBAL ID：200903045702598566

圧力センサ及び圧力センサの製造方法並びに当該圧力センサを備えたガスメータ及び血圧計

Inventor：
近江 俊彦

About 近江 俊彦


Applicant, Patent owner：
オムロン株式会社

About オムロン株式会社


Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994257463
Publication number (International publication number)：1996094472
Application date： Sep. 26, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ダイアフラムの加工精度を向上し、センサ特性に優れた圧力センサを提供する。【構成】 シリコンウエハ21の片面よりドライエッチングを施して円形状のギャップ4及びギャップ4の周縁部に凸部15を形成する。残る片面より異方性エッチングを施してギャップ4より広い領域に薄膜部12を形成し、円形状のダイアフラム2を形成したシリコン製のフレーム1を作製する。フレーム1の上面にはガラス製のカバー3を重ねて陽極接合し、圧力センサAを作製する。【効果】 ダイアフラムはドライエッチングによる円形状のギャップによって位置決めや大きさ、形状が決められるため、精度よくダイアフラムを所定位置や大きさに作製することができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板に深い凹部を設けて当該凹部の底面に可動電極となる薄膜部を形成し、固定電極を有する固定基板と前記半導体基板を接合させて、前記薄膜部の前記凹部の反対側面と固定電極とをギャップを隔てて対向させた圧力センサにおいて、平面視で前記ギャップが前記薄膜部の中に納まるようにしたことを特徴とする圧力センサ。
IPC (5)：
G01L 9/12 ,  A61B 5/022 ,  G01F 3/22 ,  G01L 1/14 ,  H01L 29/84
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体容量式圧力変換器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-235926   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体圧力センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-046262   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開平3-158731

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