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J-GLOBAL ID：200903045702895102

容量式湿度センサ

Inventor：
豊田 稲男

About 豊田 稲男


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001182032
Publication number (International publication number)：2003004683
Application date： Jun. 15, 2001
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：
【要約】【課題】 容量式湿度センサにおいて、湿度検出用の2個の電極を外部環境にさらすことなく、感湿膜による2個の電極間の容量変化の検出精度を良好なものとする。【解決手段】 半導体基板10の上に形成されたシリコン酸化膜20と、シリコン酸化膜20の上にて離間して対向するように形成された2個の櫛歯状の電極31、32と、これら2個の電極31、32を覆うように形成されたシリコン窒化膜40と、シリコン窒化膜40の上に両電極31、32を覆うように形成され、湿度に応じて容量値が変化する感湿膜50とを備え、周囲の湿度の変化に応じて2個の電極31、32間の容量値が変化するようになっており、2個の電極31、32と半導体基板10との間の寄生容量を小さくするように、半導体基板10のうち2個の電極31、32の下に位置する部位が除去されている。
Claim (excerpt)：
半導体基板(10)と、この半導体基板の上に形成された第1の絶縁膜(20)と、この第1の絶縁膜の上にて離間して対向するように形成された2個の電極(31、32)と、これら2個の電極を覆うように形成された第2の絶縁膜(40)と、この第2の絶縁膜の上に前記2個の電極および前記2個の電極の間を覆うように形成され、湿度に応じて容量値が変化する感湿膜(50)とを備え、周囲の湿度の変化に応じて前記2個の電極間の容量値が変化するようになっており、前記2個の電極と前記半導体基板との間の寄生容量を小さくするように、前記半導体基板のうち前記2個の電極の下に位置する部位が除去されていることを特徴とする容量式湿度センサ。
IPC (2)：
G01N 27/02 ,  G01N 27/22
FI (2)：
G01N 27/02 B ,  G01N 27/22 A
F-Term (3)：
2G060AB02 ,  2G060AG06 ,  2G060AG10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開昭57-153254
  • 湿度センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-209206   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 特開昭58-037907
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