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J-GLOBAL ID：200903045732590780

半導体層の形成方法

Inventor： 田中 悟 ,  武内 道一 ,  青柳 克信
Applicant, Patent owner： 理化学研究所 ,  田中 悟 ,  武内 道一
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999354563
Publication number (International publication number)：2001176804
Application date： Dec. 14, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】煩雑な工程を必要とすることなしに、当該半導体層中の構造欠陥の欠陥密度、特に、貫通転位の転位密度を大幅に低減させることができるようにして、作業時間の短縮化を図ることができるとともに、製造コストを低減することのできる半導体層の形成方法を提供する。【解決手段】半導体層を形成する半導体層の形成方法において、半導体層中の構造欠陥を抑制する構造欠陥抑制物質を、当該半導体層が形成される物質層の表面に供給する。

Claim (excerpt)：

半導体層を形成する半導体層の形成方法において、半導体層中の構造欠陥を抑制する構造欠陥抑制物質を供給することを特徴とする半導体層の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

F-Term (76)：

5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA11 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB09 ,  5F045AB11 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB22 ,  5F045AB23 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DQ08 ,  5F045EE12 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045HA18 ,  5F045HA19 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F103AA04 ,  5F103AA05 ,  5F103AA08 ,  5F103BB06 ,  5F103DD02 ,  5F103DD03 ,  5F103DD04 ,  5F103DD05 ,  5F103DD06 ,  5F103DD07 ,  5F103DD08 ,  5F103DD11 ,  5F103DD13 ,  5F103DD16 ,  5F103DD17 ,  5F103DD21 ,  5F103DD23 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103RR01 ,  5F103RR08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (20)

• GaN薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-045405   Applicant：理化学研究所
• 特開平4-106916
  
• 特開平4-088627
  
• 特開平3-161922
  
• 特開平4-199812
  
• 特開平1-315127
  
• 半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-159011   Applicant：光技術研究開発株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-038259   Applicant：株式会社東芝
• GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-037577   Applicant：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-313841   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平4-106916
  
• 特開平4-088627
  
• 特開平3-161922
  
• 特開平4-199812
  
• 特開平1-315127
  
• 特開平4-106916
  
• 特開平4-088627
  
• 特開平3-161922
  
• 特開平4-199812
  
• 特開平1-315127