静電誘導トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998314314
Publication number (International publication number)：2000150912
Application date： Nov. 05, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】シリコンカーバイド(SiC)を用いたプレーナ静電誘導トランジスタは、ドリフト層の濃度が高いため、オフするために大きなゲート電圧が必要となる。【解決手段】ゲートを表面p型領域と複数の縦型p型領域から形成し、空乏層が二次元的に広がる構造とした。【効果】オフ特性が優れたSiC静電誘導トランジスタを実現することが可能となる。

Claim (excerpt)：

一対の主表面を有し、低不純物濃度の第一導電型の基体と、前記基体の第一主表面に形成された第二導電型のゲート領域と、前記基体の主表面に形成された第一導電型のソース領域とドレイン領域と、前記基体の、第二主表面に形成された第二導電型の基板領域と、前記ゲート領域に接触するゲート電極と前記ソース電極に接触するソース電極と前記ドレイン電極に接触するドレイン電極からなる静電誘導トランジスタにおいて、ゲート領域と基板領域の間にゲート領域に接触した複数の第二導電型領域を設けたことを特徴とする静電誘導トランジスタ。

F-Term (7)：

5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

接合型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-218015 Applicant：株式会社村田製作所
特開平1-175267
特開昭60-235477

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