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J-GLOBAL ID:200903045874404950

半導体レーザの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004335379
Publication number (International publication number):2006147815
Application date: Nov. 19, 2004
Publication date: Jun. 08, 2006
Summary:
【課題】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、共振器端面への不純物ドープに依らずに窓構造を設けることで、CODレベルの向上を図る。【解決手段】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面21を形成した後、その共振器端面21にレーザ光を照射して、その共振器端面21の近傍からのIn離脱を行って、これにより半導体レーザの活性層のバンドギャップEgを大きくする窓構造を形成する。【選択図】図2
Claim (excerpt):
Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、 前記半導体レーザの共振器端面を形成する形成工程と、 前記共振器端面を形成した後、当該共振器端面にレーザ光を照射して、当該共振器端面近傍からのIn離脱を行う照射工程と を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (1):
H01S 5/028
FI (1):
H01S5/028
F-Term (7):
5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AL02 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ06 ,  5F173AR68
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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