半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001191614
Publication number (International publication number)：2002335053
Application date： Jun. 25, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】通電中の動作電流の増加が極めて少なく、長寿命で経時変化も極めて少ない、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを容易に製造する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの共振器端面を形成した後、共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露し、あるいは、真空中または不活性ガス雰囲気中において30°C以上700°C以下の温度で加熱を行う工程と共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露する工程とを行い、あるいは、共振器端面を30°C以上700°C以下の温度で不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露する。これらの処理後に共振器端面に端面コーティングを行う。あるいは、共振器端面に密着層を介して端面コーティングを行う。

Claim (excerpt)：

窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、上記半導体レーザの共振器端面を形成した後、この共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露するようにしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/3065 , H01S 5/028

FI (3)：

H01S 5/343 610 , H01S 5/028 , H01L 21/302 N

F-Term (18)：

5F004AA14 , 5F004BA14 , 5F004BD05 , 5F004CA06 , 5F004DA23 , 5F004EB08 , 5F004FA08 , 5F073AA46 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA07 , 5F073DA16 , 5F073DA35 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-335850 Applicant：ソニー株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-338173 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-237025 Applicant：住友電気工業株式会社

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