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J-GLOBAL ID：200903046014558247

可視光半導体レーザ

Inventor： 山本 直
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996084730
Publication number (International publication number)：1997246653
Application date： Mar. 13, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体層表面の平坦性を向上させ、これにより高信頼性の可視光半導体レーザを提供する。【解決手段】 本可視光半導体レーザは、Ga As 基板上に、Ga InPAs活性層と活性層を挟む(Alx Ga1-x )Z In1-Z P1-Y AsY とからなるクラッド層とを備えている。例えば、本可視光半導体レーザ30は、n-Ga As 基板32上に順次格子整合させて形成した、n-(Alx Ga1-x )0.5 In 0.5P0.95As0.05からなる下部クラッド層34と、真性Ga InPAsからなる活性層36と、p-(Alx Ga1-x )0.5 In 0.5P0.95As0.05からなる上部クラッド層38と、p-Ga InPからなるバッファ層40と、及び、p-GaAs からなるコンタクト層42とから構成されている。

Claim (excerpt)：

Ga As 基板上に、Ga InPAs活性層と、活性層を挟む(Alx Ga1-x )Z In1-Z P1-Y AsY からなるクラッド層とを備えることを特徴とする可視光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-122379   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 特開平4-039986
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-305673   Applicant：富士写真フイルム株式会社