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J-GLOBAL ID：200903046175443245

固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法

Inventor： 白岩 利章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004175755
Publication number (International publication number)：2005353996
Application date： Jun. 14, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】 SOI基板を用いずに半導体基板の薄膜化を可能にした、裏面照射型の固体撮像素子を含む半導体装置提供する。【解決手段】 半導体基板22に、この半導体基板22と異なる材料の埋め込み層43からなる終点検出部42が形成され、半導体基板22が裏面から終点検出部42が臨む位置まで薄膜化され、半導体基板22の表面側及び裏面側に固体撮像素子等の半導体素子の構成要素が形成され、半導体基板22の表面側に支持基板34が貼り合せされて成る。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板に、該半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部が形成され、 前記半導体基板が裏面から前記終点検出部が臨む位置まで薄膜化され、 前記半導体基板の表面側及び裏面側に固体撮像素子の構成要素が形成され、 前記半導体基板の表面側に支持基板が貼り合せされて成る ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

FI (3)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 U ,  H01L31/10 G

F-Term (24)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118EA20 ,  4M118FA26 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA25 ,  5C024CY47 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5F049MA01 ,  5F049MB02 ,  5F049NA08 ,  5F049NA15 ,  5F049NB05 ,  5F049QA06 ,  5F049QA20 ,  5F049RA08 ,  5F049UA01 ,  5F049UA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• X-Yアドレス型固体撮像素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-210270   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体エネルギー検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-182354   Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Cited by examiner (1)

• 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-307349   Applicant：ソニー株式会社