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J-GLOBAL ID:200903046198434421
液晶パネル用基板およびその製造方法並びに液晶パネルおよび投写型表示装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996326255
Publication number (International publication number):1998170952
Application date: Dec. 06, 1996
Publication date: Jun. 26, 1998
Summary:
【要約】【課題】 従来は、ドレイン側のコンタクトホールをドライエッチングとウェットエッチングを組み合わせて形成していたため、開孔面積がかなり大きくなって液晶パネルの開口率が低下してしまうとともに、コンタクトホールの内側に形成される画素電極が信号線と接触してしまうという短絡欠陥が発生するという問題点があった。【解決手段】 画素電極に電圧を印加するスイッチング用の薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域となるポリシリコン層(3)の特にドレイン側の下方に、ポリシリコン層のような導電層からなるシート層(2)を形成しておくようにした。
Claim (excerpt):
基板上に画素電極がマトリックス状に配列形成されるとともに、各画素電極に対応して各々薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタを介して前記画素電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、前記薄膜トランジスタの能動層となる半導体層の少なくとも前記画素電極との接続領域の下方に導電性のシート層を設けたことを特徴とする液晶パネル用基板。
IPC (6):
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 505
, G02F 1/1333 505
, H01L 21/28
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (6):
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 505
, G02F 1/1333 505
, H01L 21/28 U
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 619 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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不純物の活性化方法ならびに薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-122837
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-137319
Applicant:キヤノン株式会社
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特開平2-158129
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表示装置用薄膜トランジスタ基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-310604
Applicant:シャープ株式会社
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薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-311578
Applicant:シャープ株式会社
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薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-285029
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
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特開平2-158129
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特開平2-158129
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