金属錯体薄膜およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：鎌田耕一 , 黒田茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007193754
Publication number (International publication number)：2009028965
Application date： Jul. 25, 2007
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：

【課題】シュウ酸やシュウ酸類似の構造を有する化合物を用いた金属錯体の薄膜、および、ルベアン酸やルベアン酸類似の構造を有する化合物を用いた金属錯体の薄膜、およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】金属錯体薄膜を製造するための方法は、基板上の金属元素、または有機分子鎖を介して基板に結合した金属元素に、以下の式(1)の化合物を配位結合させてキレート環を形成する工程を含む。[ここで、nは0〜6の整数を示す。nが1から6である場合、芳香環には、式(1)に示す置換基以外の置換基が結合していてもよい。]【選択図】図1

Claim (excerpt)：

(i)基板表面の金属元素、または有機分子鎖を介して基板に結合した金属元素に、以下の式(1)の化合物を配位結合させてキレート環を形成する工程を含む、金属錯体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

B32B 15/04 , C03C 17/34

FI (2)：

B32B15/04 Z , C03C17/34 A

F-Term (20)：

4F100AB01B , 4F100AB02B , 4F100AB25 , 4F100AG00 , 4F100AK02C , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4G059AA08 , 4G059AC30 , 4G059FA01 , 4G059FA30 , 4G059FB03 , 4G059GA01 , 4G059GA02 , 4G059GA04 , 4G059GA11 , 5H018AA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

カルボキシル基含有配位高分子を用いたイオン伝導材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-252884 Applicant：国立大学法人京都大学

Cited by examiner (13)

特開平3-246272
帯電防止膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-230870 Applicant：松下電器産業株式会社
非水電解液電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-308599 Applicant：古河電池株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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