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J-GLOBAL ID：200903046464111196

不揮発性半導体メモリ及びデータ読み出し方法

Inventor： 杉浦 義久 ,  岩田 佳久 ,  渡部 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997339796
Publication number (International publication number)：1999176960
Application date： Dec. 10, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高速、低消費電力、高信頼性のデータ読み出しを可能とする。【解決手段】 互いに隣接する二本のビット線のうちの一方をシールド電位に固定し、他方にデータを読み出すシールドビット線読み出し方式に適用される。選択ビット線は、電源電位にプリチャージされた後、フローティング状態となる。シールドビット線は、電源電位に固定される。ソース線デコーダ24は、選択ビット線に接続されるNANDセルユニットのソースに電源電位を与え、シールドビット線に接続されるNANDセルユニットのソースに接地電位を与える。これは、二本のソース線SL1,SL2を用意し、かつ、NANDセルユニットのソースを互いに独立させることにより、実現できる。

Claim (excerpt)：

アレイ状に配置される複数のメモリセルから構成されるメモリセルアレイと、ロウ方向のメモリセルのコントロールゲートに共通に接続される複数のワード線と、カラム方向のメモリセルのドレイン側に共通に接続される複数のビット線と、データ読み出し時に、互いに隣接する二本のビット線のうちの一方をプリチャージ電位にプリチャージした後にフローティング状態にし、かつ、前記互いに隣接する二本のビット線のうちの他方を正電位に設定する手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (6)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (4)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 622 E ,  H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-219497   Applicant：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-172261   Applicant：株式会社東芝