パターン形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003393038
Publication number (International publication number)：2005158900
Application date： Nov. 21, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】今後必要となる微細なレジストパターンを形成するためのパターン形成方法を実現すること。【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第1のレジストパターンを形成する工程(ステップS2)と、第1のレジストパターンに光を照射する工程(ステップS3)と、第1のレジストパターンとレジスト膜との界面に架橋層を形成し、該架橋層と第1のレジストパターンとを含む第2のレジストパターンを形成する工程(ステップS4)とを有し、ステップS3において、ステップS11-S13にて予め求めておいたシュリンク量と照射量との対応関係に基づいて、第2のレジストパターンの寸法が所定の寸法になるべく、第1のレジストパターンに照射する光の量を設定する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに光またはエネルギー線を照射する工程と、前記基板および前記第1のレジストパターンの上に、架橋材を含有するレジスト膜を形成する工程と、前記第1のレジストパターンと前記レジスト膜との界面に架橋反応を発生させ、前記第1のレジストパターンと前記レジスト膜との界面に架橋層を形成し、該架橋層と前記第1のレジストパターンとを含む第2のレジストパターンを形成する工程とを有し、前記第1のレジストパターンに光またはエネルギー線を照射する工程は、予め求めておいた、前記第1のレジストパターンに係る寸法と前記第2のレジストパターンに係る寸法との差と、前記第1のレジストパターンに照射する光またはエネルギー線の量との対応関係に基づいて、前記第2のレジストパターンの寸法が所定の寸法になるように、前記第1のレジストパターンに照射する光またはエネルギー線の量を設定する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/40

FI (4)：

H01L21/30 502Z , G03F7/20 521 , G03F7/40 511 , H01L21/30 516D

F-Term (10)：

2H096AA25 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 5F046AA18 , 5F046AA28 , 5F046DA02 , 5F046DA30 , 5F046DB01 , 5F046DB05 , 5F046DB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特許第3071401号
特許第3189773号
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-318901 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (5)

パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-318901 Applicant：ソニー株式会社
微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080940 Applicant：三菱電機株式会社
露光方法及び露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-221097 Applicant：キヤノン株式会社

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