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J-GLOBAL ID：200903046502458359

化学増幅型のレジスト組成物

Inventor： 崔 相 俊 ,  朴 春 根 ,  高 永 範
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997094644
Publication number (International publication number)：1998130340
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： May. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程に用いられる化学増幅型のレジスト組成物を提供する。【解決手段】 化学増幅型のレジストに用いられる次式で表されるターポリマーを提供する:【化1】ここで、R1 及びR2 は水素原子、ヒドロキシル又はカルボキシル基を有するC0 〜C10の脂肪族炭化水素であり、R3 は水素原子又はメチル、R4 はt-ブチル又はテトラヒドロピラニルであり、m及びnは整数であり、n/(m+n)は0.1〜0.5である。前記組成物の重量平均分子量は3,000〜100,000であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

化学増幅型のレジストに用いられる次式で表されるコポリマー:【化1】ここで、R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、ヒドロキシル又はカルボキシル基を有するC0 〜C10の脂肪族炭化水素であり、nは整数である。

IPC (8)：

C08F232/08 ,  C08F220/12 ,  C08F220/28 ,  C08F222/06 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08G 61/08

FI (8)：

C08F232/08 ,  C08F220/12 ,  C08F220/28 ,  C08F222/06 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  C08G 61/08 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-063810
  
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 化学増幅型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-279070   Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (3)

• 特開平4-063810
  
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 化学増幅型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-279070   Applicant：三星電子株式会社