デバイス製造のためのパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三俣弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049956
Publication number (International publication number)：1998010739
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】アクリレートあるいはメタクリレートのコポリマーの誘導体を含むレジスト材料を、193nmリソグラフィプロセスと両立させる。【解決手段】レジスト材料は、飽和脂環式部分を有するポリマーを含む。ポリマーは、脂環式部分を含むモノマー(脂環式モノマー)と、他のモノマー(例えば無水マレイン酸)とのコポリマーである。脂環式モノマーの適当な置換基の例としては、アルキル基、カルボニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基およびニトリル基がある。露光放射の波長の放射を吸収しない置換基が適当である。適当な脂環式モノマーの例としては、ノルボルネンのようなシクロオレフィンや、1,5-シクロオクタジエン、1,5-ジメチル-1,5-シクロオクタジエン、および5,6-ジヒドロジシクロペンタジエンのようなシクロジオレフィンがある。

Claim (excerpt)：

基板上にエネルギー感受性レジスト材料層を形成するステップと、紫外放射、X線放射、および電子線放射からなる群から選択されるパターン付き放射で前記エネルギー感受性レジスト材料層を露光することにより、前記レジスト材料にパターンの像を生成するステップと、前記像をパターンへと現像するステップと、前記パターンを基板に転写するステップとからなる、デバイス製造のためのパターン形成方法において、前記エネルギー感受性レジスト材料は、放射感受性材料とポリマーからなり、該ポリマーに組み込まれたモノマーのうちの約25モルパーセント〜約50モルパーセントは、ポリマーバックボーンに組み込まれた、または、飽和炭化水素連結によりポリマーバックボーンに付属した、脂環式炭化水素部分を有することを特徴とする、デバイス製造のためのパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平1-217453
特開平2-146045
レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-239871 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page