Pat

J-GLOBAL ID：200903058105079684

化学増幅型レジスト組成物

Inventor： 姜 律 ,  崔 相 俊 ,  鄭 東 垣 ,  朴 春 根 ,  高 永 範
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997279070
Publication number (International publication number)：1998153864
Application date： Oct. 13, 1997
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 化学式1または化学式2の高分子及びPAGを含む化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 化学式1の高分子及びPAGを含む化学増幅型のレジスト組成物:式中R1 及びR2 はヒドロキシル基又はカルボキシル基を有するC1 〜C10の脂肪族炭化水素、R3 は水素原子又はメチル基、R4 はt-ブチル基あるいはテトラヒドロピラニル基、mおよびnは定数で、n/(m+n)=0.1〜0.5である。また、化学式2の高分子及びPAGを含む化学増幅型レジスト組成物:式中、XはC5 〜C8 である環式又は脂環式化合物、R1 は水素原子又はメチル基、R2 はt-ブチル基、テトラヒドロピラニル基、アダマンチル基よりなる群から選ばれるいずれか、mおよびnは定数で、n/(m+n)=0.1〜0.5である。

Claim (excerpt)：

化学式1の高分子及びPAG(Photoacid Generator)を含む化学増幅型レジスト組成物:【化1】ここで、R1 及びR2 はヒドロキシル基又はカルボキシル基を有するC1 〜C10の脂肪族炭化水素であり、R3 は水素原子又はメチル基であり、R4 はt-ブチル基あるいはテトラヒドロピラニル基であり、mおよびnは整数であり、n/(m+n)=0.1〜0.5である。

IPC (10)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/03 ,  C08K 5/375 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/027

FI (10)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/03 ,  C08K 5/375 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 特許第3545903号
  
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-239871   Applicant：富士通株式会社
• コポリマー及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-353046   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開平4-063810
  
• 特開平2-146045
  
• 特開平1-217453
  

Cited by examiner (1)

• 特許第3545903号