フッ素添加カーボン膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003144613
Publication number (International publication number)：2004349458
Application date： May. 22, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

【課題】フッ素添加カーボン膜と下地膜との密着性を改善する【解決手段】被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成するフッ素添加カーボン膜の形成方法であって、基板処理装置によって希ガスをプラズマ励起し、プラズマ励起された前記希ガスによって前記被処理基板の表面処理を行う第1の工程と、前記被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成する第2の工程を含み、前記基板処理装置は、マイクロ波電源が電気的に接続されたマイクロ波アンテナを有することを特徴とするフッ素添加カーボン膜の形成方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成するフッ素添加カーボン膜の形成方法であって、基板処理装置によって希ガスをプラズマ励起し、プラズマ励起された前記希ガスによって前記被処理基板の表面処理を行う第1の工程と、前記被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成する第2の工程を含み、前記基板処理装置は、前記被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波透過窓を有し、前記マイクロ波透過窓上に設けられた、マイクロ波電源が電気的に接続されたマイクロ波アンテナから、前記被処理基板上のプロセス空間に、前記マイクロ波窓を介してマイクロ波を導入し、前記希ガスを含むプラズマガスをプラズマ励起することを特徴とするフッ素添加カーボン膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L21/316 , H01L21/31

FI (2)：

H01L21/316 M , H01L21/31 C

F-Term (16)：

5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AB40 , 5F045BB17 , 5F045CB05 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EJ01 , 5F045EM05 , 5F058BA10 , 5F058BD01 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BE04 , 5F058BF07 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

遮光膜で被覆された透過窓を有するプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-215286 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-005468 Applicant：東京エレクトロン株式会社
炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-239277 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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