半導体素子の電流検出装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994187979
Publication number (International publication number)：1996054427
Application date： Aug. 10, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) などの半導体素子10に流れる電流をその使用中に温度が変動した際にもそれによる温度誤差なく正確に検出できるようにする。【構成】半導体素子10の主電流の一部を検出抵抗20に流してその両端電圧を検出電圧Vdとして取り出し、電流供給手段30により検出電圧Vrがもつ温度係数に正負の符号と大きさを合致させた温度係数をもつ電流Isを発生して別の抵抗40に与えて電圧降下を参照電圧Vrとして取り出し、コンパレータ50等の手段を用いて検出電圧Vdと参照電圧Vrの差をとることによって検出電圧Vdがもつ温度依存性を補償しながら半導体素子10の電流を正確に検出する。

Claim (excerpt)：

半導体素子に接続されてその主電流の一部を受ける検出抵抗の両端電圧を検出電圧として取り出し、電流供給手段から温度依存性をもつ電流を抵抗に供給してその電圧降下を参照電圧として取り出し、検出電圧と参照電圧の差から検出電圧がもつ温度依存性を補償した半導体素子の電流を検出するようにしたことを特徴とする半導体素子の電流検出装置。

IPC (5)：

G01R 19/165 , G01R 19/32 , H01L 21/66 , H03K 17/08 , H03K 17/60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-087817
特開平3-142838
基準回路及び出力電流の制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-026110 Applicant：サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド

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