Pat
J-GLOBAL ID:200903046714133395
検出素子および検出素子構造
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005143176
Publication number (International publication number):2006319285
Application date: May. 16, 2005
Publication date: Nov. 24, 2006
Summary:
【課題】 単純な構造で電極と配線が高密度に半導体に設置された構造を有する、入射する検出対象を電気に変換する検出素子を提供する。【解決手段】 入射面に入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、第1の電極が、第1の側から第2の側に延伸するようにして複数設置される第1の面と、前記第1の面と反対側の、第2の電極が設置される第2の面と、と有し、複数の前記第1の電極上には、それぞれ前記第1の側から前記第2の側に延伸する複数の配線が設置され、隣接する前記配線が絶縁構造体により絶縁されて、当該第1の電極上に固定される構造であることを特徴とする検出素子。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
入射面に入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、
第1の電極が、第1の側から第2の側に延伸するようにして複数設置される第1の面と、
前記第1の面と反対側の、第2の電極が設置される第2の面と、を有し、
複数の前記第1の電極上には、それぞれ前記第1の側から前記第2の側に延伸する複数の配線が設置され、隣接する前記配線が絶縁構造体により絶縁されて、前記第1の電極上に固定される構造であることを特徴とする検出素子。
IPC (3):
H01L 31/10
, H01L 31/09
, G01T 1/24
FI (3):
H01L31/10 H
, H01L31/00 A
, G01T1/24
F-Term (31):
2G088EE02
, 2G088FF04
, 2G088FF07
, 2G088GG21
, 2G088JJ01
, 2G088JJ04
, 2G088JJ09
, 2G088JJ10
, 2G088JJ32
, 2G088JJ33
, 2G088JJ35
, 2G088JJ37
, 5F049MB01
, 5F049NA14
, 5F049NA19
, 5F049NB10
, 5F049SE05
, 5F049SE20
, 5F049WA07
, 5F088AB09
, 5F088BA15
, 5F088BA16
, 5F088BB07
, 5F088CB06
, 5F088CB07
, 5F088CB14
, 5F088EA03
, 5F088EA04
, 5F088FA05
, 5F088FA20
, 5F088LA07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
特開平1-132172号公報
-
半導体放射線検出器の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-289466
Applicant:株式会社日鉱共石
Cited by examiner (1)
-
半導体放射線検出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-234142
Applicant:株式会社島津製作所
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