レーザダイオード装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001535210
Publication number (International publication number)：2003513463
Application date： Nov. 02, 2000
Publication date： Apr. 08, 2003
Summary：

【要約】レーザダイオード装置にレーザダイオードチップ(4)が設けられる。このレーザダイオードチップは発光ダイオードに対して設けられたケーシング(1)に実装されている。ここでレーザダイオードチップ(4)はマルチビームレーザダイオード(L1,L2)としての構造体を有する。この構造体の接続接点は、LEDケーシングの端子と接続されている。

Claim (excerpt)：

高出力レーザダイオードチップを有するレーザダイオード装置において、前記高出力レーザダイオードチップ(4)はマルチビームレーザダイオード(L1,L2)としての構造体を有し、該構造体は、半導体基板(n)上に上下に配置された少なくとも2つのレーザステープル(L1,L2)と、電気接続接点(25,26)とを有し、前記レーザステープルはそれぞれ少なくとも1つのアクティブ層(J1,J2)を有し、当該アクティブ層の間にはトンネル接合部(T)が配置されており、前記高出力レーザダイオードチップ(4)は導体バンドの接続部(2a、10)上に実装されており、前記電気的接続接点(25,26)は、導体バンドの接続部(2a,2b,1011)と導電接続されており、前駆高出力レーザダイオードチップ(4)と前記接続部(2a,2b,10,11)の少なくとも一部はビーム透過性の反応樹脂により鋳込まれている、ことを特徴とするレーザダイオード装置。

F-Term (10)：

5F073AA72 , 5F073AB01 , 5F073AB05 , 5F073BA02 , 5F073BA09 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073EA24 , 5F073FA16 , 5F073FA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-226125 Applicant：三菱電機株式会社
半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-356021 Applicant：トヨタ自動車株式会社
特開昭59-167083

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Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-226125 Applicant：三菱電機株式会社
半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-356021 Applicant：トヨタ自動車株式会社
特開昭59-167083

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