電界効果トランジスタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小柴雅昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996344797
Publication number (International publication number)：1998189946
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】接触抵抗や直列抵抗が低く、実効的なゲート長を長くする効果の小さい、電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】低抵抗コンタクト層26、障壁層25および電子走行層24を順次積層した積層構造を有し、低抵抗コンタクト層26の表面にオーミック電極からなるソース電極27およびドレイン電極28を形成し、低抵抗コンタクト層26を除去して露出した障壁層25の表面にゲート電極30を形成した、電界効果トランジスタ21において、低抵抗電子走行層24の厚みを、オーミック電極のアロイ侵入によって生じたオーミックアロイ領域29の侵入深さ以上に選ぶ。

Claim (excerpt)：

ソースおよびドレイン各領域において、オーミック電極をもってソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成した低抵抗コンタクト層を備える、電界効果トランジスタにおいて、前記低抵抗コンタクト層の厚みは、前記オーミック電極のアロイ侵入深さ以上であることを特徴とする、電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/43

FI (3)：

H01L 29/80 H , H01L 29/46 G , H01L 29/80 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-357844
特開平2-142123
特開平1-130573

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