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J-GLOBAL ID：200903076876300526

ヘテロ接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
伊藤 健治

About 伊藤 健治

, 
田中 雄一

About 田中 雄一


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149493
Publication number (International publication number)：1996321600
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【目的】 リセスゲート構造を有するHEMTにおいて、相互コンダクタンスが大きく、ゲート耐圧が高く、しかもしきい値電圧のウエハ面内あるいはロット間での変動の小さいHEMTを得ることである。【構成】 本発明のデバイスは、半導体基板上に設けられたチャネル層(110)と、このチャネル層よりも電子親和力が小さく、かつ不純物が添加された半導体層からなり、前記チャネル層とヘテロ接合を形成するキャリア供給層(120)と、このキャリア供給層上に設けられた、キャリア供給層よりも不純物濃度が低いゲートコンタクト層(130)と、このゲートコンタクト層上に設けられた、ゲートコンタクト層よりも不純物濃度が高いオーミックコンタクト層(140)と、前記オーミックコンタクト層を貫通して前記ゲートコンタクト層の内部にまで達するリセスエッチング部の底部に接触するゲート電極(160)と、このゲート電極の近傍に設けられたソース電極およびドレイン電極(170,150)とを有している。
Claim (excerpt)：
半導体基板(100)上に設けられた、不純物が添加されない半導体層からなるチャネル層(110)と、このチャネル層(110)よりも電子親和力が小さく、かつ不純物が添加された半導体層からなり、前記チャネル層(110)とヘテロ接合を形成するキャリア供給層(120)と、このキャリア供給層(120)上に設けられた、このキャリア供給層(120)よりも不純物濃度が低いゲートコンタクト層(130)と、このゲートコンタクト層(130)上に設けられた、ゲートコンタクト層(130)よりも不純物濃度が高いオーミックコンタクト層(140)と、前記オーミックコンタクト層(140)を貫通して前記ゲートコンタクト層(130)の内部にまで達するリセスエッチング部の底部に接触するゲート電極(160)と、このゲート電極(160)の近傍に設けられたソース電極およびドレイン電極(170,150)とを有することを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41
FI (3)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/44 C ,  H01L 29/80 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-159730
  • 特開昭63-221683
  • 高電子移動度トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035493   Applicant：ソニー株式会社
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