半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田数彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994027368
Publication number (International publication number)：1995221406
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】電流阻止層に形成されるグルーブの形状を容易かつ比較的再現性良く決定し得る様に改良された新規な半導体発光素子を提供する。【構成】第1導電型基板(1)上に、少なくとも、第1導電型下側クラッド層(3)、活性層(4)、第2導電型第1上側クラッド層(5)、第2導電型またはアンドープ型エッチング阻止層(6)、第1導電型またはアンドープ型電流阻止層(7)、キャップ層(8)、第2導電型第2上側クラッド層(9)、第2導電型コンタクト層(10)を順次に配置し、そして、エッチング阻止層(6)及びキャップ層(8)がMAs(MはIIIb族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層(7)がMP(MはIIIb族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層(7)に形成されるグルーブ(20)の各壁面に主として{111}面を露出して成る。

Claim (excerpt)：

活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブを有する半導体発光素子において、第1導電型基板上に、少なくとも、第1導電型下側クラッド層、活性層、第2導電型第1上側クラッド層、第2導電型またはアンドープ型エッチング阻止層、第1導電型またはアンドープ型電流阻止層、キャップ層、第2導電型第2上側クラッド層、第2導電型コンタクト層を順次に配置し、そして、エッチング阻止層およびキャップ層がMAs(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層がMP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層に形成されるグルーブの各壁面に主として{111}面を露出して成ることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

歪量子井戸半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-349971 Applicant：古河電気工業株式会社
歪層量子井戸レーザを含む製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-318049 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
特開昭62-179189

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