Pat
J-GLOBAL ID:200903046738578517
高周波増幅器及び高周波半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000089801
Publication number (International publication number):2001284992
Application date: Mar. 28, 2000
Publication date: Oct. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高周波トランジスタの接地電極と真のグラウンドとの間のインピーダンスを小さし、高周波特性を高性能化する。【解決手段】 高周波トランジスタQ1のソース電極には、接地用ボンディング・ワイヤL8及び接地用キャパシタC8とからなる第1のLC直列回路及び接地用ボンディング・ワイヤL9及び接地用キャパシタC9とからなる第2のLC直列回路とが並列接続されている。高周波トランジスタQ2のソース電極には、接地用ボンディング・ワイヤL10及び接地用キャパシタC10とからなる第3のLC直列回路、接地用ボンディング・ワイヤL11及び接地用キャパシタC11とからなる第4のLC直列回路、・・・・・、及び接地用ボンディング・ワイヤL13及び接地用キャパシタC13とからなる第6のLC直列回路とが並列接続され、それぞれ接地されている。
Claim (excerpt):
第1のインピーダンス整合回路と、該第1のインピーダンス整合回路に第1の入力信号電極を接続し、更に第1の出力信号電極及び第1の接地電極とを有する第1の高周波能動素子と、前記第1の接地電極に電気的に並列接続されたLC直列回路を含む第1の接地回路と、前記第1の出力信号電極に接続された第2のインピーダンス整合回路とから少なくとも構成されたことを特徴とする高周波増幅器。
IPC (13):
H03F 3/60
, H01L 23/12 301
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/06
, H01L 21/8232
, H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 27/095
, H03F 3/195
FI (9):
H03F 3/60
, H01L 23/12 301 L
, H03F 3/195
, H01L 27/04 C
, H01L 27/04 L
, H01L 27/06 F
, H01L 27/06 101 B
, H01L 29/80 H
, H01L 29/80 E
F-Term (94):
5F038AC01
, 5F038AC04
, 5F038AC05
, 5F038AC14
, 5F038AZ01
, 5F038AZ04
, 5F038BE07
, 5F038CD03
, 5F038CD04
, 5F038CD18
, 5F038DF01
, 5F038DF02
, 5F038EZ01
, 5F038EZ02
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
, 5F082AA06
, 5F082BC03
, 5F082BC08
, 5F082BC13
, 5F082BC14
, 5F082BC15
, 5F082CA02
, 5F082FA20
, 5F082GA04
, 5F102FA10
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GL07
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GS04
, 5F102GT03
, 5F102GT05
, 5F102GV03
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC19
, 5J067AA04
, 5J067AA41
, 5J067CA18
, 5J067CA62
, 5J067CA73
, 5J067CA75
, 5J067CA92
, 5J067FA16
, 5J067FA20
, 5J067HA09
, 5J067HA25
, 5J067HA29
, 5J067HA33
, 5J067KA13
, 5J067KA29
, 5J067KA41
, 5J067KA48
, 5J067KS21
, 5J067MA08
, 5J067MA22
, 5J067QA02
, 5J067QA03
, 5J067QA04
, 5J067QS03
, 5J067QS05
, 5J067QS17
, 5J067TA01
, 5J092AA04
, 5J092AA41
, 5J092CA18
, 5J092CA62
, 5J092CA73
, 5J092CA75
, 5J092CA92
, 5J092FA16
, 5J092FA20
, 5J092HA09
, 5J092HA25
, 5J092HA29
, 5J092HA33
, 5J092KA13
, 5J092KA29
, 5J092KA41
, 5J092KA48
, 5J092MA08
, 5J092MA22
, 5J092QA02
, 5J092QA03
, 5J092QA04
, 5J092TA01
, 5J092VL05
, 5J092VL08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
高周波モジュール、高周波回路、増幅器、雑音特性測定装置、および雑音特性測定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-053805
Applicant:三菱電機株式会社
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高周波増幅集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-278744
Applicant:株式会社村田製作所
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特開昭55-086208
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マイクロ波電力増幅回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-322949
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-067127
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開昭55-086208
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