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J-GLOBAL ID：200903046770521110

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 渡邉 大志 ,  柴田 直樹 ,  野杁 静代 ,  千代 敏明 ,  伊藤 潤 ,  浅見 慎也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999222882
Publication number (International publication number)：2001015443
Application date： Jun. 30, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子の製造工程において基板温度の変化を少なくし、製造効率の向上を図る。【構成】 300Å以下の表面窒化層を有するサファイア基板の上に1000〜1180°Cの成長温度で膜厚が0.01〜3.2μmのIII族窒化物系化合物半導体層を成長させる。

Claim (excerpt)：

300Å以下の表面窒化層厚を持つ基板の上に1000〜1180°Cの成長温度で膜厚が0.01〜3.2μmのIII族窒化物系化合物半導体層を成長させるステップを含む、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (21)：

5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB05 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 気相成長装置及び結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-347202   Applicant：日本電信電話株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-307283   Applicant：住友化学工業株式会社
• 特開昭63-188938
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• A new buffer layer for high quality GaN growth by metalorganic vapor phase epitaxy