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J-GLOBAL ID：200903046786894366
半導体装置の製造方法及び半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998045515
Publication number (International publication number)：1999243070
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】 アスペクト比の高い微細コンタクトホールをより容易にしかもより確実に埋め込むことである。【解決手段】表面に溝または開口が形成された基板を準備する工程と、スパッタ法を用いて、前記表面および前記溝または前記開口の内表面上に、第1金属膜を形成する工程と、スパッタ法を用いて、前記第1金属膜上に、第2金属膜を形成する工程と、スパッタ法を用いて前記第2金属膜上に第3金属膜の形成する工程であって、該基板の昇温開始とともに、該膜形成を開始し、該膜形成終了時において該基板温度を少なくとも前記第3金属膜のリフロー温度以上とする第3金属膜を形成する工程とを有し、前記第2金属膜と前記第3金属膜が、主成分を同一とする金属膜であり、前記第1金属膜と前記第2金属膜とが、少なくとも前記第3金属膜のリフロー温度より低い温度で、両金属膜界面に、反応生成物層を形成する。
Claim (excerpt)：
表面に溝または開口が形成された基板を準備する工程と、基板表面および前記溝または前記開口の内表面上に、第1金属膜を形成する工程と、前記第1金属膜上に連続的な第2金属膜を形成する工程と、前記第2金属膜上に前記第2金属膜と同一主成分を有する第3金属膜を形成する工程であって、前記第3金属膜形成途中に前記第1金属膜と前記第2金属膜との界面において反応生成物層を形成するとともに、前記第2、第3金属膜のリフローを行う第3金属膜形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 21/285 301 L
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 N
