高融点金属含有膜のエッチング方法並びにそれを用いた半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995214838
Publication number (International publication number)：1997063988
Application date： Aug. 23, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】側壁付着物の生成が防止でき、優れた寸法精度の得られる高融点金属含有膜のエッチング方法を得る。【解決手段】シリコン酸化膜4をマスクとし、Arガスに10容量%の酸素を添加した5mtorrのエッチングガスで、反応性プラズマを用いて白金膜3をエッチングした。

Claim (excerpt)：

反応性プラズマを用いた高融点金属含有膜のドライエッチングにおいて、シリコン酸化膜をマスクとし、エッチングガスとして希ガスに希ガスより少量の酸素を添加した混合ガスを用いたことを特徴とする高融点金属含有膜のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/28 F , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭64-047030
特開平4-247619
特開昭53-020769

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