高融点金属のドライエッチング方法及びそのエッチング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995052223
Publication number (International publication number)：1996250474
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ECRエッチング法により、Taなどの高融点金属膜に微細なパタンエッチングを行なう場合に、SiO2やSiNなどのマスク材料や下地材料に対してエッチング選択比を低下させることなく、アンダーカットのない、そして、マスクパタン寸法を忠実に反映できる高融点金属のドライエッチング方法と、そのエッチング装置とを実現する。【構成】エッチング室1′に保護膜形成用の酸素ガスを導入し、その酸素ガス雰囲気中に試料7を設置し、これに対して、エッチングガス導入口9、20からプラズマ生成室に反応性ガスと不活性ガスとを高精度ガス流量制御装置21を介して導入し、これにマイクロ波5を照射し、発生したプラズマ流11によりエッチングを行なう。このとき、試料7にRF電源6より高周波電力を印加し、エネルギー制御装置22により入射するイオンのエネルギーを調節して、高融点金属膜のパタンエッチングを行なう。

Claim (excerpt)：

基板上にマスクパタンを形成し、プラズマ生成室内にエッチングガスを導入し、エッチング室内に酸素ガスを導入し、反応性イオン流エッチング法により上記エッチング室内に置かれた上記基板を選択的にエッチングする高融点金属のドライエッチング方法において、上記エッチングガスとして反応性ガスを用いかつ上記基板に印加する高周波電力を高くして上記基板をエッチングする第1のエッチングと、上記エッチングガスとして上記反応性ガスに不活性ガスを添加した混合ガスを用い、かつ、上記基板に印加する高周波電力を低くして上記基板をエッチングする第2のエッチングとを繰り返して行なうことを特徴とする高融点金属のドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 21/30 531 M , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-050923
配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-329103 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065742 Applicant：株式会社日立製作所

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