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J-GLOBAL ID：200903046853141718

誘電体素子及び誘電体素子の製造方法

Inventor： 原田 光昭
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996033807
Publication number (International publication number)：1997232517
Application date： Feb. 21, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 簡便な手法で、膜疲労特性の良好な誘電体素子を提供すること。【解決手段】 下部電極3上に強誘電体薄膜4を形成し、この強誘電体薄膜4の下部界面及び上部界面に高濃度酸素層5、6を形成した後、強誘電体薄膜4の上に上部電極7を形成する。すなわち、強誘電体薄膜4における両電極3、7との接触界面の酸素濃度が高いので、この部分における酸素濃度の低下が抑制される。また、高濃度酸素層5、6は、酸素イオンを注入する手法を用い、強誘電体薄膜4における下部電極3との界面、上部電極7との界面にそれぞれ条件を変えて、続けてイオン注入する。

Claim (excerpt)：

金属酸化物誘電体からなる膜に、1以上の電極を接触させた構造を有する誘電体素子であって、前記膜における全ての電極との少なくとも接触界面の酸素濃度を高くしたことを特徴とする誘電体素子。

IPC (8)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-348259   Applicant：富士通株式会社
• 誘電体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-047488   Applicant：富士通株式会社