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J-GLOBAL ID：200903046933059257

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 岩永 順子 ,  ▲高▼木 剛 ,  神澤 好彦 ,  空田 晴之 ,  齋藤 徹 ,  川島 孝啓
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (12)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006507677
Publication number (International publication number)：2006521020
Application date： Mar. 19, 2004
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】プレーナMOSFETとの集積が容易なFINFETを提供する。【解決手段】半導体装置は、トレンチが形成された半導体基板と、トレンチ内に埋め込まれ、互いに同じ導電型の不純物を含む半導体からなるソース領域及びドレイン領域と、トレンチ内に埋め込まれ、且つ上記ソース領域と上記ドレイン領域との間に設けられた半導体FINと、半導体FINの側面から上面に亘って設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、トレンチ内に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を囲む第1の絶縁膜とを備えている。

Claim (excerpt)：

トレンチが形成された半導体基板と、 上記トレンチ内に埋め込まれ、互いに同じ導電型の不純物を含む半導体からなるソース領域及びドレイン領域と、 上記トレンチ内に埋め込まれ、且つ上記ソース領域と上記ドレイン領域との間に設けられた半導体FINと、 上記半導体FINの側面から上面に亘って設けられたゲート絶縁膜と、 上記トレンチ内であって、上記半導体FINの両側方の領域に向かって下方に突出した終端部分を有し、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを備えている半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (5)：

H01L29/78 301H ,  H01L29/78 301V ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102C

F-Term (62)：

5F048AA00 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BA12 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB19 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BC19 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BD10 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BH07 ,  5F048DA23 ,  5F140AA15 ,  5F140AA40 ,  5F140AB01 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BB05 ,  5F140BC12 ,  5F140BC13 ,  5F140BC15 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG34 ,  5F140BH05 ,  5F140BH15 ,  5F140BH39 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK17 ,  5F140BK34 ,  5F140CB02 ,  5F140CB08 ,  5F140CE20 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭63-131565
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-224740   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-090220   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-110237   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 改良された絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106856   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭62-076734
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-297672   Applicant：株式会社東芝
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-266482   Applicant：沖電気工業株式会社