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J-GLOBAL ID：200903046965009537

有機エレクトロルミネセンス素子

Inventor：
フェストベーバー・ホルシュト

About フェストベーバー・ホルシュト

, 
ゲルハルト、アンヤ

About ゲルハルト、アンヤ

, 
シュテッセル、フィリップ

About シュテッセル、フィリップ


Applicant, Patent owner：
メルク パテント ゲーエムベーハー

About メルク パテント ゲーエムベーハー


Agent (12)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006526586
Publication number (International publication number)：2007506270
Application date： Sep. 16, 2004
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：
本発明は、少なくとも1つのリン光エミッタを用いてドープされ、およびマトリックス中のエミッタのドープ領域が、マトリックス層の一部に渡ってのみ層に垂直に伸びることを特徴とする、明示したマトリックス材料から構成される有機エレクトロルミネセンスデバイスの改良に関する。
Claim (excerpt)：
陽極、陰極、並びに少なくとも1つのマトリックス層を含み、前記少なくとも1つのマトリックス層が、式Y=X(式中、Xは、少なくとも1つの非結合電子対を有し、およびY基は、C、P、As、Sb、Bi、S、SeまたはTeであり、X基は、N、O、S、SeまたはTeである)の構造ユニットを含み、および少なくとも1種のリン光エミッタでドープされた少なくとも1つのマトリックス材料を含む、有機エレクトロルミネセンスデバイスであって、前記層に対して垂直の、前記マトリックスにおける前記エミッタのドープ領域が、前記マトリックス層の一部に渡ってのみ延びていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイス。
IPC (1)：
H01L 51/50
FI (1)：
H05B33/14 B
F-Term (22)：
3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC12 ,  3K107CC14 ,  3K107CC21 ,  3K107CC24 ,  3K107CC45 ,  3K107DD51 ,  3K107DD58 ,  3K107DD64 ,  3K107DD67 ,  3K107DD68 ,  3K107DD69 ,  3K107DD71 ,  3K107DD74 ,  3K107FF05 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  3K107GG04 ,  3K107GG07 ,  3K107GG08 ,  3K107GG09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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