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J-GLOBAL ID:200903047049257483
磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気抵抗効果センサ及び磁気抵抗検出システム
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
松浦 兼行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997064265
Publication number (International publication number):1998261824
Application date: Mar. 18, 1997
Publication date: Sep. 29, 1998
Summary:
【要約】【課題】 従来は、素子にセンス電流を流した場合に、局所的な電流加熱効果により反強磁性膜が下地層から剥離し、素子の破壊が生じる。【解決手段】 下地層100上に付着層101、反強磁性層102、固定磁性層103、非磁性層105、自由磁性層107及び保護層108を順次積層した構造である。付着層101として、Ta、Ta酸化物、Ti、Ti酸化物、Cr、Cr酸化物、V、Fe、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Hf、Wの単層膜、多層膜、混合物、及び混合物の多層膜を用いることができる。付着層101により下地層100のアルミナ又はSiO2と、反強磁性層102であるNi酸化物、Co酸化物又はFe酸化物との間に挿入することにより、アルミナ及びSiO2とNi酸化物、Co酸化物、及びFe酸化物との間の付着力が、付着層101を挿入しないときに比し向上する。
Claim (excerpt):
下地層上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層が順次に積層された磁気抵抗効果素子において、Ni酸化物,Co酸化物又はFe酸化物を主要元素とする単層膜、多層膜、又はこれらの混合物による前記反強磁性層と前記下地層との間に、通電時の剥離防止用の付着層を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
FI (4):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, G01R 33/06 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-344066
Applicant:日本電気株式会社
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特表平7-509811
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スピンバルブ膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-053685
Applicant:日本電気株式会社
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磁気抵抗効果素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-196363
Applicant:三洋電機株式会社
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