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J-GLOBAL ID：200903047057287391

ダイヤモンド単結晶薄膜の製造方法

Inventor： 小倉 政彦 ,  渡邊 幸志 ,  大串 秀世
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003312519
Publication number (International publication number)：2005085785
Application date： Sep. 04, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】 基板ホルダを改良し、高速で高品質ダイヤモンド単結晶薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用い、プラズマCVDによりダイヤモンド基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を形成する際に、炭素を構成元素とする基板ホルダにダイヤモンド基板を載せて、ダイヤモンド単結晶薄膜を形成することを特徴とするダイヤモンド単結晶薄膜の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用い、プラズマCVDによりダイヤモンド基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を形成する際に、炭素を構成元素とする基板ホルダにダイヤモンド基板を載せて、ダイヤモンド単結晶薄膜を形成することを特徴とするダイヤモンド単結晶薄膜の製造方法。

IPC (1)：

H01L21/205

FI (1)：

H01L21/205

F-Term (11)：

5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF02 ,  5F045BB09 ,  5F045CA09 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第3125046号
  

Cited by examiner (4)

• ダイヤモンド合成法およびその合成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-236592   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 単結晶ダイヤモンドの製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-043325   Applicant：住友電気工業株式会社
• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-096817   Applicant：株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 特表平7-506799