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J-GLOBAL ID：200903047132000745

量子ドット構造体及びその形成方法、並びに該量子ドット構造体を有する半導体デバイス装置

Inventor： 長尾 哲 ,  天内 英隆
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000396791
Publication number (International publication number)：2002198512
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 量子ドットの大きさ、密度及び発光ピークの制御性及び安定性に優れ、簡便な方法で製造しうる量子ドット構造体を提供すること。【解決手段】 III-V族元素からなる第1の化合物半導体層と、量子ドットを形成するIII-V族元素からなる第2の化合物半導体とを有する量子ドット構造体であって、前記量子ドットを形成する第2の化合物半導体は、第1の化合物半導体層を構成するV族元素の少なくとも一部が異なるV族元素に置換された構造を有することを特徴とする量子ドット構造体。

Claim (excerpt)：

III-V族元素からなる第1の化合物半導体層と、量子ドットを形成するIII-V族元素からなる第2の化合物半導体とを有する量子ドット構造体であって、前記量子ドットを形成する第2の化合物半導体は、第1の化合物半導体層を構成するV族元素の少なくとも一部が異なるV族元素に置換された構造を有することを特徴とする量子ドット構造体。

IPC (2)：

H01L 29/06 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01L 29/06 ,  H01S 5/343

F-Term (7)：

5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA75 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138557   Applicant：富士通株式会社
• 特許第3768790号
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-370631   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138557   Applicant：富士通株式会社
• 特許第3768790号
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-370631   Applicant：富士通株式会社