半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370631
Publication number (International publication number)：2000196193
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】量子ドットを有する半導体装置及びその製造方法に関し、量子ドットの発光波長を制御しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板10との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層12と、バッファ層12上に形成され、発光波長がバッファ層12の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、表面近傍における格子定数が前記半導体基板との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された量子ドット層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01L 29/06

FI (2)：

H01S 3/18 673 , H01L 29/06

F-Term (8)：

5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA75 , 5F073CA07 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222107 Applicant：富士通株式会社
量子半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-212811 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-063442 Applicant：富士通株式会社

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