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J-GLOBAL ID：200903047143031790
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996255043
Publication number (International publication number)：1998107030
Application date： Sep. 26, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】誘電率の低い絶縁層を有する半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】(a) バインダーを形成しうる化合物で表面処理された固体粒子2が分散媒1中に分散してなる分散液(I)を、前記分散媒よりも比重が大きく、しかも前記分散媒と相溶しない液(II)上に展開し、(b) 前記分散液(I)から前記分散媒を除去して前記液(II)上に前記固体粒子2を配列させて粒子層3を形成し、(c) 前記粒子層3を半導体基板5の凹凸面上に移して該凹凸面上に粒子層3を形成し、(d) 前記基板5の凸部に形成された粒子層を除去し、凹凸面を平坦化した後、(e) 前記平坦化面の上に絶縁性被膜6を形成する。
Claim (excerpt)：
(a)バインダーを形成しうる化合物で表面処理された固体粒子が分散媒中に分散してなる分散液(I)を、前記分散媒よりも比重が大きく、しかも前記分散媒と相溶しない液(II)上に展開し、(b)前記分散液(I)から前記分散媒を除去して前記液(II)上に前記固体粒子を配列させて粒子層を形成し、(c)前記粒子層を半導体基板の凹凸面上に移して該凹凸面上に粒子層を形成し、(d)前記基板の凸部に形成された粒子層を除去し、凹凸面を平坦化した後、(e)前記平坦化面の上に絶縁性被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/316
H01L 21/88 K
, H01L 21/316 X
