半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995209796
Publication number (International publication number)：1997055440
Application date： Aug. 17, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】製造工程を簡略化できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】タングステン埋込電極により金属配線層と基板とを接続する構造を有する半導体装置において、近接する相互を接続する局所配線用接続孔をもタングステン埋込電極によって構成する。特にSRAMに有効。金属配線層と接続すべきプラグ接続孔と、近接する相互を接続する局所配線用接続孔とをそれぞれ開口する工程と、開口したそれぞれの接続孔内面を覆う金属又はその化合物からなる密着層を形成する工程と、密着層を形成した接続孔をタングステンで埋め込む工程とでかかる半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

タングステン埋込電極により金属配線層と基板とを接続する構造を有する半導体装置において、近接する相互を接続する局所配線用接続孔をもタングステン埋込電極によって構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 27/10 381 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 C , H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

スタック形半導体構造体及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-138644 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-324161 Applicant：日本電気株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-141838 Applicant：日本電気株式会社

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