半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995092838
Publication number (International publication number)：1996288295
Application date： Apr. 18, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【構成】所定の配線パターン6が形成されてなるウェハに対し、全面に亘ってサイドウォール形成用絶縁膜を成膜し、配線パターン6が相対的に疎に配置されている周辺回路部9上に、配線パターン6を重複しない所定パターンを有するレジストマスクを形成してから、前記サイドウォール形成用絶縁膜を異方性エッチングすることにより、配線パターン6の側壁にサイドウォール12を形成すると同時にダミーパターン13を形成する。その後、レジストマスクを除去し、ウェハ全面に亘って平坦化絶縁膜17を形成する。【効果】配線パターン6の粗密による平坦化絶縁膜17の段差を解消できる。また、ダミーパターン13を形成するために大幅な工程増を伴わない。したがって、段差のない平坦化絶縁膜17が形成された、信頼性の高い半導体装置を、低コストに歩留まりよく製造することが可能となる。

Claim (excerpt)：

基体上に所定の配線パターンを形成する工程と、前記基体の全面に絶縁膜を成膜する工程と、前記配線パターンが相対的に疎に配置されている領域における前記絶縁膜上に、該配線パターンと重複しない所定パターンを有するレジストマスクする工程と、前記絶縁膜の異方性エッチングを行うことによって、前記配線パターンの側壁にサイドウォールを形成すると同時に、前記配線パターンが相対的に疎に配置されている領域にダミーパターンを形成する工程と、前記レジストマスクを除去する工程と、前記基体の全面に平坦化絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/43

FI (5)：

H01L 21/88 C , H01L 21/88 K , H01L 27/04 D , H01L 27/08 102 D , H01L 29/62 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222538 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-245899 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-133130

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