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J-GLOBAL ID：200903047263932325

基板のプラズマ処理方法

Inventor：
寒川 誠二

About 寒川 誠二


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 工藤 実 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999116268
Publication number (International publication number)：2000306894
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】反応性ガスの過度な解離を抑制して下地膜との選択性を劣化させない。【解決手段】プラズマガスを生成させる高周波電界をパルス変調すること、パルス変調には20μ秒以上のOFF時間を与えること、プラズマガスにより基板を処理することとからなり、更に、パルス変調には100μ秒以下のOFF時間を与えることとからなり、基板表面に対する選択性が向上する。プラズマガスとして、臭素を含むガスが用いられ、臭素を含むガスとして、臭素ガス、臭化水素ガス、臭素ガスと塩素の混合ガスが用いられる。OFF時間中に、基板に堆積膜を形成する。基板に5MHz以下の低周波バイアスを印加することが望ましい。
Claim (excerpt)：
プラズマガスを生成させる高周波電界をパルス変調すること、前記パルス変調には20μ秒以上のOFF時間を与えること、前記プラズマガスにより基板を処理することとからなる基板のプラズマ処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A
F-Term (29)：
4K057DA02 ,  4K057DA13 ,  4K057DB06 ,  4K057DD05 ,  4K057DE11 ,  4K057DE20 ,  4K057DM18 ,  4K057DM20 ,  4K057DM21 ,  4K057DM22 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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