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J-GLOBAL ID：200903047317741253

プラズマ表面処理方法及び装置

Inventor：
池畑 隆

About 池畑 隆


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (1)： 山口 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005082646
Publication number (International publication number)：2005307349
Application date： Mar. 22, 2005
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】 プラズマイオン注入法と成膜を複合化し、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質し、成膜するプラズマ表面処理法及び装置を実現する。【解決手段】 接地された真空容器2の内部に、別に設けたプラズマ発生用電源7及びプラズマ発生用アンテナ又は電極6によってプラズマ3を発生させる。導電性の支持体10に支持され、直接容器の底部に置かれた被処理物1がこのプラズマ3の中に浸される。被処理物1及び支持体等10は接地電位にある。真空容器壁の一部が導電性包囲体12で覆われる。真空容器2内にプラズマ3に正バイアス電圧を印加するための電極(陽極)11を真空フィードスルー及び支持体8を介して挿入する。陽極11は真空容器2外で正の電圧パルスを発生する高電圧パルス発生器9と直流バイアス電源13に接続される。イオン注入により被処理物表面に混合層を形成し、その上に成膜させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
接地電位に保たれた被処理物(基材)の周囲に正電位にバイアスされたプラズマを発生させ、前記被処理物とプラズマの間にイオンシースを形成させ、プラズマ内のイオンをイオンシース内の電界によって加速し、前記被処理物の表面に堆積、ないしは前記被処理物の内部にイオン注入させ、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質することを特徴とするプラズマ表面処理法にあって、特にプラズマをバイアスするために外部から挿入される陽極に、プラズマイオン注入用の正のパルス電圧と、イオン支援成膜用の正の直流電圧を同時に印加して、被処理物との密着性が高く、緻密で欠陥の少ない膜を形成することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
IPC (4)：
C23C14/48 ,  C23C14/22 ,  C23C14/32 ,  C23C14/54
FI (5)：
C23C14/48 A ,  C23C14/48 D ,  C23C14/22 A ,  C23C14/32 C ,  C23C14/54 B
F-Term (11)：
4K029BA55 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BC00 ,  4K029CA03 ,  4K029CA07 ,  4K029CA09 ,  4K029CA10 ,  4K029CA13 ,  4K029DE00 ,  4K029EA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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