Pat

J-GLOBAL ID：200903047340154187

半導体発光素子

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998028300
Publication number (International publication number)：1999233827
Application date： Feb. 10, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 3原色の光の発光部が同一基板の上に縦型構造で集積されている半導体発光素子を提供する。【解決手段】 3原色のいずれか1つの光を発光する発光層32b,52b,62bを有する3種類の半導体積層構造3,5,6が同一基板1の上に順次積層されている半導体発光素子であって、前記発光層32b,52b,62bは、それぞれ、組成が異なるGaN系化合物半導体から成り、具体的には、前記発光層がGaNP系またはGaNInAs系化合物半導体から成り、また、前記発光層がGaNP系化合物半導体から成り、前記半導体積層構造の間にはCドープGaN,ダイヤモンド,ダイヤモンド状カーボン,またはAlNから成る絶縁層41,42が介装されている。

Claim (excerpt)：

3原色のいずれか1つの光を発光する発光層を有する3種類の半導体積層構造が同一基板の上に順次積層されている半導体発光素子であって、前記発光層は、それぞれ、組成が異なるGaN系化合物半導体から成ることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコンに格子整合したIII-V化合物半導体エミッター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057877   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120281   Applicant：三洋電機株式会社