新規な誘電体の形成

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999350512
Publication number (International publication number)：2001168295
Application date： Dec. 09, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【解決課題】低Fc化とともに光照射によるパターニングが可能な誘電体を提供する。【解決手段】光官能性樹脂に有機強誘電体を分散させる。

Claim (excerpt)：

光官能性樹脂内に誘電体材料を分散させてなる誘電体。

IPC (5)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C08J 5/00 CEY , C08L101/00

FI (4)：

H01L 27/10 451 , C08J 5/00 CEY , C08L101/00 , H01L 27/10 651

F-Term (32)：

4F071AA22 , 4F071AA26 , 4F071AA33 , 4F071AA34 , 4F071AG28 , 4F071AH12 , 4F071BA03 , 4F071BB02 , 4F071BC02 , 4F071BC12 , 4J002BC03W , 4J002BC12W , 4J002BD12X , 4J002BD14X , 4J002BG06W , 4J002BG09X , 4J002GH00 , 4J002GQ00 , 4J002HA06 , 5F083FR01 , 5F083GA06 , 5F083HA02 , 5F083JA01 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083LA06 , 5F083PR23 , 5F083PR38 , 5F083PR42 , 5F083PR52

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

半導体記憶素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-217402 Applicant：沖電気工業株式会社
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情報記録媒体および情報記録方法
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強/高誘電体集積回路とその製作方法
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強誘電体薄膜微細パターン形成剤及び強誘電体薄膜微細パターン形成方法
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