半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システム

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001253382
Publication number (International publication number)：2003063896
Application date： Aug. 23, 2001
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】不純物が少なく結晶品質の良い窒素(N)を含むIII-V族化合物半導体膜を作製することの可能な半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システムを提供する。【解決手段】精製装置5の精製室中に、金属Al又は金属Alを含む合金が配置されており、精製装置5では、精製室に供給された窒素原料(窒素化合物からなる窒素原料)を、金属Al又は金属Alを含む合金に接触させて精製し(不純物を除去し)、反応室1に供給する。

Claim (excerpt)：

窒素化合物からなる窒素原料を金属Alまたは金属Alを含む合金に接触させた後、反応室に輸送し、窒素(N)を含むIII-V族化合物半導体膜を成長させることを特徴とする半導体膜成長方法。

IPC (12)：

C30B 29/38 , B01D 53/14 , B01D 53/18 , B01J 19/00 , C30B 25/14 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01S 5/183 , H01S 5/323 610 , H04B 10/02 , H04B 10/28

FI (10)：

C30B 29/38 D , B01D 53/14 A , B01D 53/18 A , B01J 19/00 K , C30B 25/14 , H01L 21/205 , H01S 5/183 , H01S 5/323 610 , H01L 29/80 B , H04B 9/00 W

F-Term (57)：

4D020AA08 , 4D020AA10 , 4D020BA06 , 4D020BB01 , 4D020BB02 , 4D020CA05 , 4D020CB01 , 4G075AA24 , 4G075BC04 , 4G075CA51 , 4G075CA54 , 4G075CA57 , 4G075DA02 , 4G075FB02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EG22 , 4G077TH02 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AC19 , 5F045BB16 , 5F045CA01 , 5F045CA06 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA63 , 5F073AA04 , 5F073AA45 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA29 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102HC01 , 5K002AA01 , 5K002BA01 , 5K002BA13 , 5K002DA02 , 5K002FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭58-056324
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-049834 Applicant：株式会社リコー
3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059100 Applicant：住友化学工業株式会社

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