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J-GLOBAL ID：200903047444577144

半導体ウェハの洗浄方法

Inventor： 桜井 直明 ,  速水 直哉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994294374
Publication number (International publication number)：1996153698
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハ上の有機物、パーティクルおよび金属を良好に除去することが可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供しようとするものである。【構成】 半導体ウェハを溶存オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハを溶存オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理することを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体基板の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-127830   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-107805   Applicant：日本電気株式会社
• 配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-199687   Applicant：ソニー株式会社