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J-GLOBAL ID：200903047458686264

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
田中 康雄

About 田中 康雄


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 小岩井 雅行 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998014608
Publication number (International publication number)：1999214448
Application date： Jan. 27, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高い実装密度が容易に得られる半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板21の両面に集積回路22,23が形成された半導体チップ20と、シリコン基板31の両面に集積回路32,33が形成された半導体チップ30とを積層する。集積回路22,23,32,33は互いに半田バンプや金属細線により電気的に接続されており、プリント配線基板12に形成された半田ボールを介して外部回路に接続される。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一方の面上に第1の集積回路を有するとともに前記半導体基板の他方の面上に第2の集積回路を有する半導体チップを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12
FI (3)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/12 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開昭63-164261
  • 特開昭62-272556
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336628   Applicant：新光電気工業株式会社
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