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J-GLOBAL ID:200903031235926170

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995336628
Publication number (International publication number):1997181256
Application date: Dec. 25, 1995
Publication date: Jul. 11, 1997
Summary:
【要約】【課題】 マルチチップモジュール型の半導体装置を低コストで製造すること。【解決手段】 樹脂基板からなる半導体素子搭載基板30の一方の面に形成された配線パターン30aと電気的に接続されて複数個の半導体素子6が搭載され、前記半導体素子搭載基板30の他方の面の周縁部が樹脂基板からなる外部接続端子支持基板20に透設された透孔22の周縁部に接合されるとともに、該外部接続端子支持基板20の接合面側に形成された配線パターン20aと前記半導体素子搭載基板30に形成された配線パターン30aとが、及び、該外部接続端子支持基板20の接合面側に形成された配線パターン20aと前記外部接続端子支持基板20の他面側に設けられた外部接続端子21とが電気的に接続され、前記半導体素子6が樹脂封止されたことを特徴とする。
Claim (excerpt):
樹脂基板からなる半導体素子搭載基板の一方の面に形成された配線パターンと電気的に接続されて複数個の半導体素子が搭載され、前記半導体素子搭載基板の他方の面の周縁部が樹脂基板からなる外部接続端子支持基板に透設された透孔の周縁部に接合されるとともに、該外部接続端子支持基板の接合面側に形成された配線パターンと前記半導体素子搭載基板に形成された配線パターンとが、及び、該外部接続端子支持基板の接合面側に形成された配線パターンと前記外部接続端子支持基板の他面側に設けられた外部接続端子とが電気的に接続され、前記半導体素子が樹脂封止されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12
FI (2):
H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-174598   Applicant:富士通株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-202089   Applicant:富士通株式会社
  • 特開平4-219966
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