光半導体製造方法およびエージング装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：笹井浩毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998006547
Publication number (International publication number)：1999204886
Application date： Jan. 16, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】廃棄される不良品への投資額を低減するとともに、必要な床面積と人手を減らし、少ない費用でエージングすることのできる光半導体製造方法およびエージング装置を提供する。【解決手段】接合と当該接合を構成するp、nそれぞれの電極は形成してあるが、これら電極のうち少なくとも一方を何処へもリード線付け、半田付け或いは導電性樹脂により光半導体素子のチップ外へ配線乃至接着をしていない段階で、すなわち、ウエハ割出工程の後など早い段階でエージングを行う。なお、この段階ではワイヤボンディング等が成されていないので、接触電極によってp、nの各電極と導通をとるエージング装置を用いる。

Claim (excerpt)：

注入発光を伴う接合を少なくとも一個有する光半導体素子の製造方法において、前記接合と当該接合を構成するp、nそれぞれの電極は形成してあるが、これら電極のうち少なくとも一方を何処へもリード線付け、半田付け或いは導電性樹脂により前記光半導体素子のチップ外へ配線乃至接着をしていない段階で、前記接合へ順方向電流を流してエージングする工程を含むことを特徴とする光半導体素子製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-286547
特開平4-036630
半導体素子の試験方法および試験装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-131249 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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