Pat

J-GLOBAL ID：200903008951717149

半導体発光素子およびその製法

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995215625
Publication number (International publication number)：1996116092
Application date： Aug. 24, 1995
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【課題】 格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】 GaAs、InAs、GaP、InPなどのIII -V族化合物半導体基板3のAsまたはP原子を最表面とする主面に、チッ化ガリウム系化合物半導体4〜9を積層して発光素子を構成する。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体基板上に積層されたチッ化ガリウム系化合物半導体層を構成要素とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-045809   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138166   Applicant：旭化成工業株式会社