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J-GLOBAL ID：200903047631905694

炭素系複合構造体及びその製造方法

Inventor： 阿多 誠文 ,  ラム マティアス
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999179290
Publication number (International publication number)：2001009961
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 構成材料の一部にフラーレン系薄膜を用い、各層間の密着性を高め、強度にすぐれた太陽電池やセンサー等が得られる、炭素系複合構造体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 石英ガラス等の基板1の上に、炭素系薄膜2とフラーレン系薄膜3とが積層された、炭素系複合構造体である。そして炭素系薄膜2の形成には、有機化合物の熱分解を、またフラーレン系薄膜3の形成には、フラーレンの蒸着法や重合法を用いる。

Claim (excerpt)：

基体と炭素系薄膜とフラーレン系薄膜との積層体からなる炭素系複合構造体。

IPC (5)：

B32B 9/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  C23C 16/26 ,  H01L 31/04

FI (5)：

B32B 9/00 A ,  C01B 31/02 101 F ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26 ,  H01L 31/04 Z

F-Term (32)：

4F100AA37B ,  4F100AA37C ,  4F100AD11B ,  4F100AD11C ,  4F100AD20C ,  4F100AK79C ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100GB61 ,  4F100JG01 ,  4F100JK06 ,  4F100JL11 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030FA01 ,  4K030LA16 ,  5F051AA20 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭素系化合物素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-254461   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• フラーレン含有構造体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-069426   Applicant：科学技術振興事業団, 田中俊一郎
• 炭素薄膜の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080138   Applicant：ソニー株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構