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J-GLOBAL ID：200903047663597487

半導体チップの実装方法及び半導体デバイス

Inventor： 木下 義弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098373
Publication number (International publication number)：1995307416
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シールド効果を維持しつつ簡単にパッケージの薄層化を実現する半導体チップの実装方法及び半導体デバイスを提供することである。【構成】 表面に電極パターンが形成された基板とその基板の周端部に立設された側壁とから成るシールド性の外囲器を用意し、前記電極パターンに半導体チップの電極を直接接続し、前記外囲器の基板上に前記半導体チップを被包するように低誘電率の絶縁性樹脂を形成し、その絶縁性樹脂の全表面上に導電性樹脂を形成した。

Claim (excerpt)：

表面に電極パターンが形成された基板とその基板の周端部に立設された側壁とから成るシールド性の外囲器を用意し、前記電極パターンに半導体チップの電極を直接接続し、前記外囲器の基板上に前記半導体チップを被包するように低誘電率の絶縁性樹脂を形成し、前記絶縁性樹脂の全表面上に導電性樹脂を形成したことを特徴とする半導体チップの実装方法。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-276240
  
• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-074871   Applicant：株式会社東芝
• リードレスチップキャリアの構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-115559   Applicant：日本電気株式会社