半導体素子及び発光ダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松本英俊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998274908
Publication number (International publication number)：2000106456
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】従来よりも寿命の長い半導体素子を提供する。【解決手段】発光ダイオード1からなる半導体素子は、1以上のPN接合を形成するように積層された半導体結晶層2〜7を有する。アノード電極層8は、表面にボンディング領域8aを有し裏面にP形の半導体結晶層と接触した接触領域を有する。アノード電極層8の裏面と半導体結晶7との間に、ボンディング領域8a以上の大きさを有し且つボンディング領域8aと対向する酸化膜層9を形成する。酸化膜層9を2000オングストローム以上のSiO2 の膜によって形成する。

Claim (excerpt)：

表面にボンディング領域を有し裏面に半導体結晶と接触した接触領域を有するボンディング用電極を備えた半導体素子であって、前記ボンディング用電極の前記裏面と前記半導体結晶との間に、前記ボンディング領域と対向するように酸化膜層が形成されていることを特徴とする半導体素子。

F-Term (5)：

5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA36 , 5F041CB11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

化合物半導体光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-298426 Applicant：日立電線株式会社
光半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-332086 Applicant：スタンレー電気株式会社
発光素子と発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-284073 Applicant：三洋電機株式会社

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